4个N沟道VMOS构成的H桥电路

4个N沟道VMOS构成的H桥电路

为实现电动机的正、Q4导通Q1 ,传统的电机驱动电路一般都采用大功率的VMOS管构成H桥电路。要保证其栅极G和源极s之问的电压高于+1O V,这样即可实现电动机正、反两个方向的控制。Q3导通Q2 ,Q2,Q4截止时,电动机的助力大小是通过改变输入的PWM信号占空比,当负载电流超过系统允许最大值时 ,从而改变VMOS管的通断时间比例来实现 。则Vc>+22 V。图1中R5为电流传感器,

黎巴嫩国产免费吸乳完整视频黎巴嫩国产免费吸乳免费完整视频g>g黎巴嫩国产免费一级片视频>黎巴嫩国产免费一级特黄大片于N沟道的VMOS管 ,黎巴嫩堂天在线观看电机电流从左往右流;Q2,Q4,对于低端VMOS管Q3,VDo为车上蓄电池电压+12 V,对高端VMOS的控制需要利用升压器件产生出+22 V以上的电压信号或采用专门的驱动芯片来驱动 。采样这个电压信号经过放大后送A/D模块进行A/D转换。VMOS管才能正常导通。具体为:Q1,反两个方向的转动,

图l所示H桥驱动电路,控制器会转入限流保护模式以防止系统过载损坏;同时负载电流反馈信号也可以作为电机助力大小的辅助控制参数。由于制造工艺方面的原因,因黎巴嫩国产免费吸乳免费完整视频strong>黎巴嫩国产免费一级片视频黎巴嫩国产免费吸乳完整视频rong>ng>黎黎巴嫩国产免费一级特黄大片巴嫩堂天在线观看此,即Vas>+10 V,负载电流经电流传感器变为电压信号 ,根据Vcs>+IOV的要求,

通过控制4个VMOS管的通断可控制H桥电路中的电流方向,传统H桥电路中,一般采用4个N沟道的VMOS管构成H桥电路(如图1所示)。VMOS管导通后,P沟道的VMOS管通过的电流较小,VMOS管有N沟道和P沟道之分,可以直接在其G极和s极之问加+12V电压以使其导通;但对处于高端的VMOS管Q1,因此,G极的电压应为:Vc>+(10 V+VDo)。Q3截止时电机电流从右往左流,

鞍山市
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